專利授權
文件編號
PZ098020692 
人氣指數
2845 
專利名稱
可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法 
發明人
丁永強 
專利權人
遠東科技大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2010/02/01 
交易方式
讓與、授權 
專利摘要

一種可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法,包括下列步驟:A.鋁片表面處理;B.在鋁片兩側表面之非反應區塗佈阻隔層;C.在鋁片兩側表面之反應區預成凹槽;D.陽極氧化處理;E.除去鋁片上之氧化鋁膜片;F.重複C、D步驟N次; G.第N+1次陽極氧化處理;H.去除鋁片之非反應區;I.貫通氧化鋁膜片;藉以獲得具有特定形狀奈米孔之金屬膜片者。  
優勢與應用範圍

一種可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法,包括下列步驟:A.鋁片表面處理;B.在鋁片兩側表面之非反應區塗佈阻隔層;C.在鋁片兩側表面之反應區預成凹槽;D.陽極氧化處理;E.除去鋁片上之氧化鋁膜片;F.重複C、D步驟N次; G.第N+1次陽極氧化處理;H.去除鋁片之非反應區;I.貫通氧化鋁膜片;藉以獲得具有特定形狀奈米孔之金屬膜片者。

1.一種可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法,包括下列步驟:
A.鋁片表面處理
清潔鋁片表面;
B.在鋁片兩側表面之非反應區塗佈阻隔層;
C.在鋁片兩側表面之反應區預成凹槽
在鋁片兩側表面之反應區上預先設計好的位置形成凹槽,鋁片表面上之每一凹槽均與鋁片另一表面之對應凹槽相對齊;
D.陽極氧化處理
將上述鋁片置於電解液中進行陽極氧化處理,使金屬鋁片之凹槽加深,且金屬鋁片在其兩側表面依上述凹槽位置形成具有孔洞之多孔性氧化鋁膜片;
E.除去鋁片上之氧化鋁膜片
以化學藥劑將鋁片表面之氧化鋁除去,餘留具有較深凹槽之鋁片;
F.重複C、D步驟N次;
G.第N+1次陽極氧化處理
金屬鋁片在其兩側表面之反應區形成多孔性氧化鋁膜片,該膜片依前述凹槽位置而佈列有規則性之奈米孔洞;
H.去除鋁片之非反應區;
I.貫通氧化鋁膜片
利用化學藥劑將多孔性氧化鋁膜片中尚未完全相通之奈米孔洞予以貫通,獲得與上述反應區輪廓相同之氧化鋁膜片。
2.如申請專利範圍第1項所述可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法,其中B步驟中塗佈於非反應區阻隔層之材質為鐵弗龍。
3.如申請專利範圍第1項所述可控制輪廓形狀之奈米薄膜製造方法,其中C步驟中,係利用e-bean、x-ray、ion-bean、eaching、壓模等方式,在鋁片表面形成微小凹槽。
4.如申請專利範圍第1項所述可控制輪廓
 
相關網站

附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
台灣 
申請號
94131562 
專利類別
 
公告號
I272244 
證書號
I272244 
專利家族
 
專利權起始日期
2007/02/01 
專利權止日期
2025/09/13 
下次繳費日期
2010/01/30 
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