專利授權
文件編號
PZ098020380 
人氣指數
2000 
專利名稱
應用高介電材料於薄膜電晶體之閘極氧化層的製作方法及其結構 
發明人
李明逵、李宏昌、許志敏 
專利權人
國立中山大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2026/05/11 
交易方式
 
專利摘要

本發明係以有機金屬化學氣相沉積法將一種高介電材料之二氧化鈦薄膜成長在非晶矽的基板上;它可應用在液晶顯示器中薄膜電晶體之閘極氧化層與儲存電容之電容層上;當顯示器的面板越來越大時, RC延遲效應就會發生,因此,採用高介電常數的材料做為非晶矽薄膜電晶體的閘極氧化層將可提高汲極電流,因而提高Ion/Ioff比値,進而達到提高薄膜電晶體切換速度的目的;此外,開口率的增加對於液晶顯示器的亮度是重要的研究方向。將高介電材料應用在儲存電容之介電層上將可使電容的面積變小,進而增加面板的開口率;二氧化鈦薄膜是高介電材料,以有機金屬化學氣相沉積法並加上後續回火處理將可得到較高介電常數的二氧化鈦薄膜,並且也能與非晶矽薄膜電晶體的製程相容。 
優勢與應用範圍

 
相關網站

附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
中華民國 
申請號
095116829  
專利類別
 
公告號
I299186  
證書號
I299186  
專利家族
 
專利權起始日期
2008/07/21 
專利權止日期
2026/05/11 
下次繳費日期
 
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