專利授權
文件編號
PZ098020379 
人氣指數
1992 
專利名稱
薄膜電晶體及其製造方法 
發明人
張鼎張、張大山、涂峻豪、劉柏村 
專利權人
國立中山大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2026/07/10 
交易方式
 
專利摘要

一種薄膜電晶體,包括基板、閘極、閘介電層、通道複合層、歐姆接觸層、源極區與汲極區,其中通道複合層由非晶矽薄膜與非晶矽鍺薄膜所構成。閘介電層配置於基板上,並覆蓋配置於基板上的閘極。通道複合層配置於部分閘介電層上。歐姆接觸層配置於通道複合層上,並裸露出閘極上之部分通道複合層。源極區與汲極區互相分離地配置於閘介電層上,並覆蓋歐姆接觸層。非晶矽鍺薄膜具有低阻値與足夠缺陷數目的優點,可以提升薄膜電晶體的驅動電流並抑制其光漏電流。 
優勢與應用範圍

 
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附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
中華民國 
申請號
095125199  
專利類別
 
公告號
I299214  
證書號
I299214  
專利家族
 
專利權起始日期
2008/07/21 
專利權止日期
2026/07/10 
下次繳費日期
 
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