專利授權
文件編號
PZ098020372 
人氣指數
1941 
專利名稱
薄膜電晶體及其製造方法 
發明人
張鼎張、劉柏村、王敏全、陳紀文 
專利權人
國立中山大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2025/06/16 
交易方式
 
專利摘要

一種薄膜電晶體,是至少由基板、閘極、閘極介電層、多通道層、歐姆接觸層以及源極金屬層與汲極金屬層所構成,其中多通道層是由兩兩相疊的非晶矽薄膜以及非晶矽鍺薄膜所構成。此外,閘極位於基板上、閘極介電層則覆蓋於閘極上、多通道層位於閘極上方的閘極介電層上,而歐姆接觸層則與多通道層接觸且位於閘極兩側的閘極介電層上。再者,源極金屬層與汲極金屬層分別位於閘極兩側的歐姆接觸層上。由於多通道層採用非晶矽薄膜及非晶矽鍺薄膜所交疊而成的結構,所以可以有效增加元件之載子移動率,進而提高元件之驅動電流。  
優勢與應用範圍

 
相關網站

附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
中華民國 
申請號
094120146  
專利類別
 
公告號
I302032  
證書號
I302032  
專利家族
 
專利權起始日期
2008/10/11 
專利權止日期
2025/06/16 
下次繳費日期
 
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