專利授權
文件編號
PZ098020343 
人氣指數
1911 
專利名稱
多晶矽薄膜電晶體及其製造方法 
發明人
張鼎張、劉柏村、吳永俊 
專利權人
國立中山大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2025/06/20 
交易方式
 
專利摘要

一種多晶矽薄膜電晶體的製造方法,是先提供基板,於基板上形成做為主動區的圖案化非晶矽層。接著,於基板上依序形成閘極與隔離層。之後,於隔離層中形成結晶製程用開口與接觸窗開口。然後進行金屬誘發側向結晶製程,以使非晶矽層轉變為多晶矽層。繼之,進行離子佈植製程,以於閘極與閘極兩側的主動區植入離子。然後,於基板上形成金屬層,並以微影蝕刻定義金屬層而成為數個金屬接點。其中金屬接點經由此些接觸窗開口分別與閘極與閘極兩側的主動區電性相連。由於結晶製程用開口與接觸窗開口在同步驟形成,因此大幅減低了製造成本。  
優勢與應用範圍

 
相關網站

附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
中華民國 
申請號
094120555  
專利類別
 
公告號
I279840  
證書號
I279840  
專利家族
 
專利權起始日期
2007/04/21 
專利權止日期
2025/06/20 
下次繳費日期
 
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