專利授權
文件編號
PZ098020331 
人氣指數
1960 
專利名稱
薄膜電晶體及其製造方法  
發明人
張鼎張、陳紀文、劉柏村、王敏全、戴亞翔 
專利權人
國立中山大學 
領域別
 
實施限制
技術成熟度
 
年費有效日期
2024/12/21 
交易方式
 
專利摘要

一種薄膜電晶體及其製造方法。此薄膜電晶體包括一基底、一閘極電極、一閘極絕緣層、一內島狀結構、一源極電極、一汲極電極以及一重摻雜半導體層。閘極電極設於基底上,且閘極絕緣層覆蓋於閘極電極之上。內島狀結構係設於閘極絕緣層上,且內島狀結構的面積小於閘極電極的面積。內島狀結構包括一通道層以及一包覆通道層之側壁的絕緣間隙壁。此外,源極電極與汲極電極分別位於通道層相對兩側之上方,且源極電極、汲極電極與通道層互不接觸。另外,重摻雜半導體層位於源極電極與通道層之間並位於汲極電極與通道層之間。  
優勢與應用範圍

 
相關網站

附檔
   
專利保護情況
專利保護狀態
獲證維護中 
申請國家
中華民國 
申請號
093139966  
專利類別
 
公告號
I270987  
證書號
I270987  
專利家族
 
專利權起始日期
2007/01/11 
專利權止日期
2024/12/21 
下次繳費日期
 
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